IXYA20N65C3D1
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| Teilenummer | IXYA20N65C3D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXYA20N65C3D1 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.402 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 6 - Mär 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXYA20N65C3D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYA20N65C3D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYA20N65C3D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™, GenX3™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 430µJ (on), 650µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 30nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 19ns/80ns |
| Testbedingung | 400V, 20A, 20Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AA |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A Leistung - max 543W Schaltenergie 385µJ (on), 352µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/64ns Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket D3 [S] |
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