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IXXX110N65B4H1

IXXX110N65B4H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXXX110N65B4H1
PNEDA Teilenummer IXXX110N65B4H1
Beschreibung IGBT 650V 240A 880W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.084
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IXXX110N65B4H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXX110N65B4H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXX110N65B4H1, IXXX110N65B4H1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 245,78 KB)
PDFIXXK110N65B4H1 Datenblatt Cover
IXXK110N65B4H1 Datenblatt Seite 2 IXXK110N65B4H1 Datenblatt Seite 3 IXXK110N65B4H1 Datenblatt Seite 4 IXXK110N65B4H1 Datenblatt Seite 5 IXXK110N65B4H1 Datenblatt Seite 6 IXXK110N65B4H1 Datenblatt Seite 7

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IXXX110N65B4H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX4™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)240A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)630A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 110A
Leistung - max880W
Schaltenergie2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge183nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.38ns/156ns
Testbedingung400V, 55A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

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Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25.6ns/71ns

Testbedingung

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Leistung - max

714W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

610nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/290ns

Testbedingung

400V, 100A, 3.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

230ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

81µJ (on), 125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/90ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 110A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

700nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/380ns

Testbedingung

600V, 110A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.56V @ 15V, 10A

Leistung - max

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Gate Charge

4.8nC

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