IXTT30N50L
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXTT30N50L |
| PNEDA Teilenummer | IXTT30N50L |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.326 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTT30N50L Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTT30N50L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTT30N50L Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 400W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 720mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.6nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 292pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 30W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FN Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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