Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXTT140P10T

IXTT140P10T

Nur als Referenz

Teilenummer IXTT140P10T
PNEDA Teilenummer IXTT140P10T
Beschreibung MOSFET P-CH 100V 140A TO-268
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.888
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 7 - Mär 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXTT140P10T Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTT140P10T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTT140P10T, IXTT140P10T Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 174,1 KB)
PDFIXTT140P10T Datenblatt Cover
IXTT140P10T Datenblatt Seite 2 IXTT140P10T Datenblatt Seite 3 IXTT140P10T Datenblatt Seite 4 IXTT140P10T Datenblatt Seite 5 IXTT140P10T Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXTT140P10T Datasheet
  • where to find IXTT140P10T
  • IXYS

  • IXYS IXTT140P10T
  • IXTT140P10T PDF Datasheet
  • IXTT140P10T Stock

  • IXTT140P10T Pinout
  • Datasheet IXTT140P10T
  • IXTT140P10T Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXTT140P10T Price
  • IXTT140P10T Distributor

IXTT140P10T Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieTrenchP™
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.140A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs400nC @ 10V
Vgs (Max)±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds31400pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)568W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-268
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

2SJ0674G0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 3V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100mW (Ta)

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SSSMini3-F2

Paket / Fall

SOT-723

STP16NK60Z

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2650pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

SIHB24N65ET1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2740pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFBF30L

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FQB9N50TM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

730mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

2N3906BU

2N3906BU

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.2A TO-92

ADG5408BRUZ

ADG5408BRUZ

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 8X1 16TSSOP

NTF2955T1G

NTF2955T1G

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

10MQ060NTR

10MQ060NTR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 2.1A SMA

MAX4168EUB+T

MAX4168EUB+T

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 10UMAX

LAN8710AI-EZK-TR

LAN8710AI-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 32QFN

MPX5010DP

MPX5010DP

NXP

SENSOR DIFF PRESS 1.45 PSI MAX

LTM4613IV#PBF

LTM4613IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 12V 8A

V23050-A1110-A533

V23050-A1110-A533

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY SAFETY 6PST 8A 110V

LT8620EMSE#PBF

LT8620EMSE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 16MSOP

AOZ8808DI-05

AOZ8808DI-05

Alpha & Omega Semiconductor

TVS DIODE 5V 9V 10DFN