IXTQ102N20T
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| Teilenummer | IXTQ102N20T |
| PNEDA Teilenummer | IXTQ102N20T |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 102A TO3P |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.592 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTQ102N20T Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTQ102N20T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IXTQ102N20T Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | TrenchHV™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 102A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 750W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 135A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5110pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10990pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 380W (Tc) Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK (7-Lead) Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
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