Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXTK90P20P

IXTK90P20P

Nur als Referenz

Teilenummer IXTK90P20P
PNEDA Teilenummer IXTK90P20P
Beschreibung MOSFET P-CH 200V 90A TO-264
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.840
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXTK90P20P Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTK90P20P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTK90P20P, IXTK90P20P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 119,27 KB)
PDFIXTX90P20P Datenblatt Cover
IXTX90P20P Datenblatt Seite 2 IXTX90P20P Datenblatt Seite 3 IXTX90P20P Datenblatt Seite 4 IXTX90P20P Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXTK90P20P Datasheet
  • where to find IXTK90P20P
  • IXYS

  • IXYS IXTK90P20P
  • IXTK90P20P PDF Datasheet
  • IXTK90P20P Stock

  • IXTK90P20P Pinout
  • Datasheet IXTK90P20P
  • IXTK90P20P Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXTK90P20P Price
  • IXTK90P20P Distributor

IXTK90P20P Technische Daten

HerstellerIXYS
SeriePolarP™
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs44mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs205nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds12000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)890W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-264 (IXTK)
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRFBC40LCPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

SIHG23N60E-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

158mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2418pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

227W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Paket / Fall

TO-247-3

NTMFS6H848NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta), 57A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 70µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1180pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 73W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

HUFA76609D3ST

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

425pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

49W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI2302-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

237pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

VIPER100A

VIPER100A

STMicroelectronics

IC SWIT PWM SMPS CM PENTAWATT5

HSMF-C155

HSMF-C155

Broadcom

LED GREEN/RED DIFFUSED CHIP SMD

NIS5135MN1TXG

NIS5135MN1TXG

ON Semiconductor

IC ELECTRONIC FUSE 10DFN

BYW80-200G

BYW80-200G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2

STPS0560Z

STPS0560Z

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 60V 500MA SOD123

REF196GSZ

REF196GSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 3.3V 8SOIC

XC878CM16FFI5VACFXUMA1

XC878CM16FFI5VACFXUMA1

Infineon Technologies

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 64LQFP

MP2144GJ-Z

MP2144GJ-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BUCK ADJ 2A TSOT23-8

DS2401P+T&R

DS2401P+T&R

Maxim Integrated

IC SILICON SERIAL NUMBER 6TSOC

TAJB475K016RNJ

TAJB475K016RNJ

CAP TANT 4.7UF 10% 16V 1411

MAX14780EESA+T

MAX14780EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

AS5163-HTSM

AS5163-HTSM

ams

SENSOR ANGLE 360DEG SMD