IXTF02N450
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| Teilenummer | IXTF02N450 |
| PNEDA Teilenummer | IXTF02N450 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.678 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTF02N450 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTF02N450 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTF02N450 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 4500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 200mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750Ohm @ 10mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 256pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Paket / Fall | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 732pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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