IXTA220N055T7
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| Teilenummer | IXTA220N055T7 |
| PNEDA Teilenummer | IXTA220N055T7 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.128 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTA220N055T7 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTA220N055T7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTA220N055T7 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | TrenchMV™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 220A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 158nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 430W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263-7 (IXTA..7) |
| Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 16µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 47W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
