IXTA08N100D2HV

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Teilenummer | IXTA08N100D2HV |
PNEDA Teilenummer | IXTA08N100D2HV |
Beschreibung | MOSFET N-CH |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.758 |
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IXTA08N100D2HV Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | IXTA08N100D2HV |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IXTA08N100D2HV Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 800mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21Ohm @ 400mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 25V |
FET-Funktion | Depletion Mode |
Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-263HV |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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