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IXTA08N100D2HV

IXTA08N100D2HV

Nur als Referenz

Teilenummer IXTA08N100D2HV
PNEDA Teilenummer IXTA08N100D2HV
Beschreibung MOSFET N-CH
Hersteller IXYS
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IXTA08N100D2HV Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTA08N100D2HV
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IXTA08N100D2HV Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.800mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs21Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.6nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds325pF @ 25V
FET-FunktionDepletion Mode
Verlustleistung (max.)60W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-263HV
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF7494PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1783pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IXFH20N80P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

520mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4685pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

APTM20DAM10TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

175A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 87.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

224nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

694W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SP4

Paket / Fall

SP4

IXTM50N20

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

GigaMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-204AE

Paket / Fall

TO-204AE

SI1300BDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

400mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 250mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.84nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

35pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190mW (Ta), 200mW (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-70-3

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Kürzlich verkauft

LC4256V-75T176C

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Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 256MC 7.5NS 176TQFP

MC34063ABD

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STMicroelectronics

IC REG BUCK BST ADJ 1.5A 8SO

SMAJ5.0CA-13-F

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Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMA

PC357N4J000F

PC357N4J000F

SHARP/Socle Technology

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

ABM8-166-114.285MHZ-T2

ABM8-166-114.285MHZ-T2

Abracon

CRYSTAL 114.2850MHZ 18PF SMD

SMBJ7.0CA-E3/52

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 7V 12V DO214AA

302R29W102KV4E

302R29W102KV4E

Johanson Dielectrics

CAP CER 1000PF 3KV X7R 1808

TX1475NL

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Pulse Electronics Network

XFRMR OCTAL 1:2/1:1 1.2MH SMD

HCPL-060L-000E

HCPL-060L-000E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV OPN COLLECTOR 8SO

BC817-40-7-F

BC817-40-7-F

Diodes Incorporated

TRANS NPN 45V 500MA SOT23-3

AS5145B-HSSM

AS5145B-HSSM

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC 1024PPR

SHT21

SHT21

Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 3V I2C 2% SMD