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IXSA20N60B2D1

IXSA20N60B2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXSA20N60B2D1
PNEDA Teilenummer IXSA20N60B2D1
Beschreibung IGBT 600V 35A 190W TO263
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.442
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXSA20N60B2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSA20N60B2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSA20N60B2D1, IXSA20N60B2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 175,71 KB)
PDFIXSA20N60B2D1 Datenblatt Cover
IXSA20N60B2D1 Datenblatt Seite 2 IXSA20N60B2D1 Datenblatt Seite 3 IXSA20N60B2D1 Datenblatt Seite 4 IXSA20N60B2D1 Datenblatt Seite 5 IXSA20N60B2D1 Datenblatt Seite 6

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IXSA20N60B2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 16A
Leistung - max190W
Schaltenergie380µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge33nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/116ns
Testbedingung480V, 16A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 AA (IXSA)

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

320µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/135ns

Testbedingung

720V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

HGTP7N60A4-F102

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

55µJ (on), 150µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

60nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/100ns

Testbedingung

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

NGTB10N60R2DT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

Leistung - max

72W

Schaltenergie

412µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

48ns/120ns

Testbedingung

300V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

76A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 38A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRGIB6B60KD116P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

110µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/215ns

Testbedingung

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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