Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXSA20N60B2D1

IXSA20N60B2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXSA20N60B2D1
PNEDA Teilenummer IXSA20N60B2D1
Beschreibung IGBT 600V 35A 190W TO263
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.442
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 1 - Mär 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXSA20N60B2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSA20N60B2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSA20N60B2D1, IXSA20N60B2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 175,71 KB)
PDFIXSA20N60B2D1 Datenblatt Cover
IXSA20N60B2D1 Datenblatt Seite 2 IXSA20N60B2D1 Datenblatt Seite 3 IXSA20N60B2D1 Datenblatt Seite 4 IXSA20N60B2D1 Datenblatt Seite 5 IXSA20N60B2D1 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXSA20N60B2D1 Datasheet
  • where to find IXSA20N60B2D1
  • IXYS

  • IXYS IXSA20N60B2D1
  • IXSA20N60B2D1 PDF Datasheet
  • IXSA20N60B2D1 Stock

  • IXSA20N60B2D1 Pinout
  • Datasheet IXSA20N60B2D1
  • IXSA20N60B2D1 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXSA20N60B2D1 Price
  • IXSA20N60B2D1 Distributor

IXSA20N60B2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 16A
Leistung - max190W
Schaltenergie380µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge33nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/116ns
Testbedingung480V, 16A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 AA (IXSA)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NGTB15N120FL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

294W

Schaltenergie

1.2mJ (on), 370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

109nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

64ns/132ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRGP4750DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Leistung - max

273W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/105ns

Testbedingung

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

HGTP7N60A4-F102

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

55µJ (on), 150µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

60nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/100ns

Testbedingung

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

IRGIB6B60KD116P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

110µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/215ns

Testbedingung

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

IHW30N110R3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1100V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 30A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

1.15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/350ns

Testbedingung

600V, 30A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Kürzlich verkauft

MIC5365-3.3YC5-TR

MIC5365-3.3YC5-TR

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SC70-5

BNX002-01

BNX002-01

Murata

FILTER LC TH

ELXY500ETC560MF15D

ELXY500ETC560MF15D

United Chemi-Con

CAP ALUM 56UF 20% 50V RADIAL

TAJA226K010RNJ

TAJA226K010RNJ

CAP TANT 22UF 10% 10V 1206

MMA02040C1001FB300

MMA02040C1001FB300

Vishay Beyschlag

RES SMD 1K OHM 1% 0.4W 0204

AUIPS2031R

AUIPS2031R

Infineon Technologies

IC SW IPS 1CH LOW SIDE DPAK

MLX90614ESF-DCC-000-SP

MLX90614ESF-DCC-000-SP

Melexis Technologies NV

SENSOR DGTL -40C-85C TO39

S34ML02G104TFI010

S34ML02G104TFI010

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

TMP36GT9Z

TMP36GT9Z

Analog Devices

SENSOR ANALOG -40C-125C TO92-3

MSP5.0A-M3/89A

MSP5.0A-M3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 10.9V MICROSMP

F863DE474K310Z

F863DE474K310Z

KEMET

CAP FILM 0.47UF 10% 310VAC RAD

ADP150AUJZ-3.3-R7

ADP150AUJZ-3.3-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 150MA TSOT5