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IXS839BQ2

IXS839BQ2

Nur als Referenz

Teilenummer IXS839BQ2
PNEDA Teilenummer IXS839BQ2
Beschreibung IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.488
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXS839BQ2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXS839BQ2
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
IXS839BQ2, IXS839BQ2 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 312,37 KB)
PDFIXS839S1T/R Datenblatt Cover
IXS839S1T/R Datenblatt Seite 2 IXS839S1T/R Datenblatt Seite 3 IXS839S1T/R Datenblatt Seite 4 IXS839S1T/R Datenblatt Seite 5 IXS839S1T/R Datenblatt Seite 6 IXS839S1T/R Datenblatt Seite 7 IXS839S1T/R Datenblatt Seite 8 IXS839S1T/R Datenblatt Seite 9 IXS839S1T/R Datenblatt Seite 10 IXS839S1T/R Datenblatt Seite 11

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IXS839BQ2 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 4A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)24V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)20ns, 15ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall10-VFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket10-QFN (3x3)

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Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

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Kanaltyp

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Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

23ns, 25ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

ISL6622AIBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

6.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TC1412EOA713

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

18ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

LTC1177IN-5

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Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

-

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

-

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

18-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

18-DIP

IRS2509STRPBF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

150ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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