IXKC19N60C5
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| Teilenummer | IXKC19N60C5 |
| PNEDA Teilenummer | IXKC19N60C5 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.780 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXKC19N60C5 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXKC19N60C5 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXKC19N60C5 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 19A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS220™ |
| Paket / Fall | ISOPLUS220™ |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7693pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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