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IXGX55N120A3H1

IXGX55N120A3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGX55N120A3H1
PNEDA Teilenummer IXGX55N120A3H1
Beschreibung IGBT 1200V 125A 460W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.884
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IXGX55N120A3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGX55N120A3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXGX55N120A3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)125A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)400A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 55A
Leistung - max460W
Schaltenergie5.1mJ (on), 13.3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge185nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/365ns
Testbedingung960V, 55A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)200ns
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

290nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

75ns/305ns

Testbedingung

600V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Infineon Technologies

Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

227W

Schaltenergie

470µJ (on), 1.35mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

168nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/308ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

STGP10NC60K

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

NGD8201NT4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 42A

Leistung - max

223W

Schaltenergie

120µJ (on), 150µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/113ns

Testbedingung

200V, 21A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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