IXGT72N60B3
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| Teilenummer | IXGT72N60B3 |
| PNEDA Teilenummer | IXGT72N60B3 |
| Beschreibung | IGBT 600V 75A 540W TO268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.362 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGT72N60B3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGT72N60B3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXGT72N60B3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 400A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 540W |
| Schaltenergie | 1.38mJ (on), 1.05mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 230nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 31ns/150ns |
| Testbedingung | 480V, 50A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 19A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 38A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 10A Leistung - max 60W Schaltenergie 120µJ (on), 2.05mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/540ns Testbedingung 480V, 10A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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