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IXGT72N60A3

IXGT72N60A3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT72N60A3
PNEDA Teilenummer IXGT72N60A3
Beschreibung IGBT 600V 75A 540W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.600
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IXGT72N60A3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT72N60A3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT72N60A3, IXGT72N60A3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 200,94 KB)
PDFIXGT72N60A3 Datenblatt Cover
IXGT72N60A3 Datenblatt Seite 2 IXGT72N60A3 Datenblatt Seite 3 IXGT72N60A3 Datenblatt Seite 4 IXGT72N60A3 Datenblatt Seite 5 IXGT72N60A3 Datenblatt Seite 6

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IXGT72N60A3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)400A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.35V @ 15V, 60A
Leistung - max540W
Schaltenergie1.38mJ (on), 3.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge230nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.31ns/320ns
Testbedingung480V, 50A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

283W

Schaltenergie

456µJ (on), 411µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

226nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/208ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 11A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/160ns

Testbedingung

850V, 16A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

Leistung - max

259W

Schaltenergie

540µJ (on), 1.38mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/140ns

Testbedingung

600V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

270ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 8A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

460µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.3nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/40ns

Testbedingung

450V, 8A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

49.2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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