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IXGT32N170

IXGT32N170

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT32N170
PNEDA Teilenummer IXGT32N170
Beschreibung IGBT 1700V 75A 350W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.722
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IXGT32N170 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT32N170
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT32N170, IXGT32N170 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 577,03 KB)
PDFIXGT32N170 Datenblatt Cover
IXGT32N170 Datenblatt Seite 2 IXGT32N170 Datenblatt Seite 3 IXGT32N170 Datenblatt Seite 4 IXGT32N170 Datenblatt Seite 5

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IXGT32N170 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.3V @ 15V, 32A
Leistung - max350W
Schaltenergie11mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge155nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.45ns/270ns
Testbedingung1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 15A

Leistung - max

198W

Schaltenergie

1.9mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/580ns

Testbedingung

800V, 15A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

225A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

460A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 70A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

1.27mJ (on), 1.37mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

168nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/150ns

Testbedingung

400V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

156ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 60A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

1.69mJ (on), 630µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/87ns

Testbedingung

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34.6ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

FGY100T65SCDT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

5.4mJ (on), 3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

157nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

84ns/216ns

Testbedingung

400V, 100A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

62ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 4V, 10A

Leistung - max

107W

Schaltenergie

-

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Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/4µs

Testbedingung

300V, 6.5A, 1kOhm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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