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IXGT24N60CD1

IXGT24N60CD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT24N60CD1
PNEDA Teilenummer IXGT24N60CD1
Beschreibung IGBT 600V 48A 150W TO268
Hersteller IXYS
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IXGT24N60CD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT24N60CD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT24N60CD1, IXGT24N60CD1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 103,53 KB)
PDFIXGT24N60CD1 Datenblatt Cover
IXGT24N60CD1 Datenblatt Seite 2 IXGT24N60CD1 Datenblatt Seite 3 IXGT24N60CD1 Datenblatt Seite 4 IXGT24N60CD1 Datenblatt Seite 5

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IXGT24N60CD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™, Lightspeed™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)48A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 24A
Leistung - max150W
Schaltenergie240µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge55nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/75ns
Testbedingung480V, 24A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

90µJ (on), 150µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/146ns

Testbedingung

400V, 4A, 43Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

43ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

STGWT40H65DFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

283W

Schaltenergie

498µJ (on), 363µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/142ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

62ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

NGTB30N60FLWG

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

700µJ (on), 280µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

83ns/170ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

72ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/130ns

Testbedingung

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

76ns/815ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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