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IXGR72N60B3H1

IXGR72N60B3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR72N60B3H1
PNEDA Teilenummer IXGR72N60B3H1
Beschreibung IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.218
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGR72N60B3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR72N60B3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR72N60B3H1, IXGR72N60B3H1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 243,08 KB)
PDFIXGR72N60B3H1 Datenblatt Cover
IXGR72N60B3H1 Datenblatt Seite 2 IXGR72N60B3H1 Datenblatt Seite 3 IXGR72N60B3H1 Datenblatt Seite 4 IXGR72N60B3H1 Datenblatt Seite 5 IXGR72N60B3H1 Datenblatt Seite 6 IXGR72N60B3H1 Datenblatt Seite 7

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IXGR72N60B3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)450A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 60A
Leistung - max200W
Schaltenergie1.4mJ (on), 1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge225nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.31ns/152ns
Testbedingung480V, 50A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)140ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.0V @ 5V, 10A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

500ns/4µs

Testbedingung

300V, 8A, 100Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/110ns

Testbedingung

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IGW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

74A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

255W

Schaltenergie

390µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/165ns

Testbedingung

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

340A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

900A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Leistung - max

-

Schaltenergie

3mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

315nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/125ns

Testbedingung

360V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

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39W

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-

Eingabetyp

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Gate Charge

40nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

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