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IXGR35N120D1

IXGR35N120D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR35N120D1
PNEDA Teilenummer IXGR35N120D1
Beschreibung IGBT 1200V ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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IXGR35N120D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR35N120D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXGR35N120D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Leistung - max-
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

Leistung - max

347W

Schaltenergie

930µJ (on), 720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/150ns

Testbedingung

800V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

AOB15B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 15A

Leistung - max

214W

Schaltenergie

290µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/116ns

Testbedingung

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

317ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D2Pak)

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

104A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 42A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

72ns/445ns

Testbedingung

1500V, 42A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.7µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRGPS66160DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 120A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

4.47mJ (on), 3.43mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/190ns

Testbedingung

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

257W

Schaltenergie

890µJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

171nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

85ns/174ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

77ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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