IXGR35N120BD1
Nur als Referenz
Teilenummer | IXGR35N120BD1 |
PNEDA Teilenummer | IXGR35N120BD1 |
Beschreibung | IGBT 1200V 54A 250W ISOPLUS247 |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.474 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IXGR35N120BD1 Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXGR35N120BD1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IXGR35N120BD1 Datasheet
- where to find IXGR35N120BD1
- IXYS
- IXYS IXGR35N120BD1
- IXGR35N120BD1 PDF Datasheet
- IXGR35N120BD1 Stock
- IXGR35N120BD1 Pinout
- Datasheet IXGR35N120BD1
- IXGR35N120BD1 Supplier
- IXYS Distributor
- IXGR35N120BD1 Price
- IXGR35N120BD1 Distributor
IXGR35N120BD1 Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 54A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 35A |
Leistung - max | 250W |
Schaltenergie | 900µJ (on), 3.8mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 140nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 40ns/270ns |
Testbedingung | 960V, 35A, 3Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | ISOPLUS247™ |
Lieferantengerätepaket | ISOPLUS247™ |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 72A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A Leistung - max 417W Schaltenergie 370µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/55ns Testbedingung 600V, 25A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 53A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A Leistung - max 141W Schaltenergie 1.57mJ (on), 720µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/170ns Testbedingung 400V, 50A, 7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 68ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-AI |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 240A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A Leistung - max 750W Schaltenergie 4.47mJ (on), 3.43mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 80ns/190ns Testbedingung 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-274AA Lieferantengerätepaket SUPER-247™ (TO-274AA) |