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IXGN80N60A2D1

IXGN80N60A2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGN80N60A2D1
PNEDA Teilenummer IXGN80N60A2D1
Beschreibung IGBT 600V 160A FRD SOT-227B
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.352
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGN80N60A2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGN80N60A2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
IXGN80N60A2D1, IXGN80N60A2D1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 524,59 KB)
PDFIXGN80N60A2D1 Datenblatt Cover
IXGN80N60A2D1 Datenblatt Seite 2

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IXGN80N60A2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)160A
Leistung - max625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.35V @ 15V, 80A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)650µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227B

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Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

335A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

22.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF300A120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

IRG7T150HF12B

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

910W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

POWIR® 62 Module

Lieferantengerätepaket

POWIR® 62

CM150DU-34KA

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

1100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

21nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGTQ100SK65T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Buck Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

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