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IXGH40N120A2

IXGH40N120A2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH40N120A2
PNEDA Teilenummer IXGH40N120A2
Beschreibung IGBT 1200V 75A 360W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.258
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGH40N120A2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH40N120A2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH40N120A2, IXGH40N120A2 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 172,65 KB)
PDFIXGH40N120A2 Datenblatt Cover
IXGH40N120A2 Datenblatt Seite 2 IXGH40N120A2 Datenblatt Seite 3 IXGH40N120A2 Datenblatt Seite 4 IXGH40N120A2 Datenblatt Seite 5

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IXGH40N120A2 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A
Leistung - max360W
Schaltenergie15mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge136nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/420ns
Testbedingung960V, 40A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

70A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

840µJ (on), 7.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

83nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

92ns/1.1µs

Testbedingung

480V, 20A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

2.35mJ (on), 1.15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

398nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/285ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

78ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

111W

Schaltenergie

770µJ (on), 1.11mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/186ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

370A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

5.5mJ (on), 5.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

470nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/275ns

Testbedingung

600V, 100A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

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Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

480V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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