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IXGH28N140B3H1

IXGH28N140B3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH28N140B3H1
PNEDA Teilenummer IXGH28N140B3H1
Beschreibung IGBT 1400V 60A 300W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.434
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH28N140B3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH28N140B3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH28N140B3H1, IXGH28N140B3H1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 818,94 KB)
PDFIXGH28N140B3H1 Datenblatt Cover
IXGH28N140B3H1 Datenblatt Seite 2 IXGH28N140B3H1 Datenblatt Seite 3 IXGH28N140B3H1 Datenblatt Seite 4 IXGH28N140B3H1 Datenblatt Seite 5 IXGH28N140B3H1 Datenblatt Seite 6 IXGH28N140B3H1 Datenblatt Seite 7

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IXGH28N140B3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1400V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 28A
Leistung - max300W
Schaltenergie3.6mJ (on), 3.9mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge88nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.16ns/190ns
Testbedingung960V, 28A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)350ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

294W

Schaltenergie

1.2mJ (on), 370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

109nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

64ns/128ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

370A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 44A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

1mJ (on), 3.75mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/310ns

Testbedingung

480V, 44A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

4.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/350ns

Testbedingung

720V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

SGP30N60HSXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

112A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.15mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

141nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/250ns

Testbedingung

400V, 30A, 11Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

IRG8P60N120KD-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

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420W

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Gate Charge

345nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

210ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

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