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IXGH25N250

IXGH25N250

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH25N250
PNEDA Teilenummer IXGH25N250
Beschreibung IGBT 2500V 60A 250W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.974
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH25N250 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH25N250
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXGH25N250 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic5.2V @ 15V, 75A
Leistung - max250W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge75nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 10A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

640µJ (on), 920µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/200ns

Testbedingung

960V, 10A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

STGW80V60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 80A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

448nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/220ns

Testbedingung

400V, 80A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

TO-247

IXBT20N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.35µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-268

STGWT60V60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

750µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

334nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/208ns

Testbedingung

400V, 60A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 40A

Leistung - max

384W

Schaltenergie

950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/230ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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