Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXGH25N100A

IXGH25N100A

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH25N100A
PNEDA Teilenummer IXGH25N100A
Beschreibung IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.132
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 25 - Apr 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGH25N100A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH25N100A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH25N100A, IXGH25N100A Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 106,56 KB)
PDFIXGH25N100A Datenblatt Cover
IXGH25N100A Datenblatt Seite 2 IXGH25N100A Datenblatt Seite 3 IXGH25N100A Datenblatt Seite 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXGH25N100A Datasheet
  • where to find IXGH25N100A
  • IXYS

  • IXYS IXGH25N100A
  • IXGH25N100A PDF Datasheet
  • IXGH25N100A Stock

  • IXGH25N100A Pinout
  • Datasheet IXGH25N100A
  • IXGH25N100A Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXGH25N100A Price
  • IXGH25N100A Distributor

IXGH25N100A Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 25A
Leistung - max200W
Schaltenergie5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge130nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.100ns/500ns
Testbedingung800V, 25A, 33Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

480W

Schaltenergie

480µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

146nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/95ns

Testbedingung

400V, 50A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

RGTH60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

194W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

58nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/105ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 2.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 20A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

FGD3N60LSDTM-T

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 10V, 3A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

250µJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/600ns

Testbedingung

480V, 3A, 470Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

234ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

NGTB25N120FL3WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

1mJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

136nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/109ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

114ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

S25FL032P0XMFI011

S25FL032P0XMFI011

Cypress Semiconductor

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SO

OP07CSZ

OP07CSZ

Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC

MAX17043G+T

MAX17043G+T

Maxim Integrated

IC 2-WIRE FG MODEL GAUGE LO BATT

CD143A-SR70

CD143A-SR70

Bourns

TVS DIODE 7V SOT143

LTC6363IMS8#PBF

LTC6363IMS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 8MSOP

PIC17C756A-33/L

PIC17C756A-33/L

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB OTP 68PLCC

74V2G00STR

74V2G00STR

STMicroelectronics

IC GATE NAND 2CH 2-INP SOT23-8

DECB33J681KC4B

DECB33J681KC4B

Murata

CAP CER 680PF 6.3KV RADIAL

AT45DB321D-SU

AT45DB321D-SU

Adesto Technologies

IC FLASH 32M SPI 66MHZ 8SOIC

4608X-102-103LF

4608X-102-103LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 10K OHM 8SIP

EEE-FT1V220AR

EEE-FT1V220AR

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 22UF 20% 35V SMD

MAX31730AUB+T

MAX31730AUB+T

Maxim Integrated

IC REMOTE TEMP SENSOR USSOP