IXGA20N60B
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| Teilenummer | IXGA20N60B |
| PNEDA Teilenummer | IXGA20N60B |
| Beschreibung | IGBT 600V 40A 150W TO263AA |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.878 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGA20N60B Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGA20N60B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGA20N60B Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | 150µJ (on), 700µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 90nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/150ns |
| Testbedingung | 480V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (IXGA) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 88A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 40A Leistung - max 500W Schaltenergie 1.38mJ (on), 906µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/163ns Testbedingung 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.15mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 141nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/250ns Testbedingung 400V, 30A, 11Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 125ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 117A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 50A Leistung - max 694W Schaltenergie 2.14mJ (on), 1.48mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 445nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/237ns Testbedingung 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 74A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max 255W Schaltenergie 390µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/165ns Testbedingung 400V, 20A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 62ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
