IXFX24N100F
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| Teilenummer | IXFX24N100F |
| PNEDA Teilenummer | IXFX24N100F |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3 |
| Hersteller | IXYS-RF |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFX24N100F Ressourcen
| Marke | IXYS-RF |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFX24N100F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFX24N100F Technische Daten
| Hersteller | IXYS-RF |
| Serie | HiPerRF™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 24A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 560W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I2PAK Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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