IXFT6N100Q
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| Teilenummer | IXFT6N100Q |
| PNEDA Teilenummer | IXFT6N100Q |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.994 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFT6N100Q Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFT6N100Q |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFT6N100Q Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 180W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 4.5V Vgs (Max) -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 478pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 4-DSBGA (1x1) Paket / Fall 4-UFBGA, DSBGA |
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