IXFT26N100XHV
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| Teilenummer | IXFT26N100XHV |
| PNEDA Teilenummer | IXFT26N100XHV |
| Beschreibung | MOSFET 1000V 26A ULTRA JUNCTION |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.442 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFT26N100XHV Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFT26N100XHV |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IXFT26N100XHV Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 26A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 113nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3290pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 860mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-268HV (IXFT) |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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