IXFN50N120SIC
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXFN50N120SIC | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXFN50N120SIC | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET N-CH | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 787 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 18 - Apr 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXFN50N120SIC Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFN50N120SIC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFN50N120SIC Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 47A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 1000V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227B |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
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