IXFH58N20Q
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Teilenummer | IXFH58N20Q |
PNEDA Teilenummer | IXFH58N20Q |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD |
Hersteller | IXYS |
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IXFH58N20Q Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXFH58N20Q |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IXFH58N20Q Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | HiPerFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 58A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXFH) |
Paket / Fall | TO-247-3 |
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