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IXFA20N85XHV

IXFA20N85XHV

Nur als Referenz

Teilenummer IXFA20N85XHV
PNEDA Teilenummer IXFA20N85XHV
Beschreibung 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.532
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXFA20N85XHV Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFA20N85XHV
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IXFA20N85XHV Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)850V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1660pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)540W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-263 (D2Pak-HV)
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AO4310

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

36V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 18V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

121nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 25V

FET-Funktion

Current Sensing

Verlustleistung (max.)

272W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-5

Paket / Fall

TO-220-5

IPI70R950CEXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

TSM10NB60CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1820pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

APTM120U10DAG

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1100nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3290W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Chassis Mount

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