IXDP20N60BD1
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| Teilenummer | IXDP20N60BD1 |
| PNEDA Teilenummer | IXDP20N60BD1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 32A 140W TO220AB |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.526 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXDP20N60BD1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXDP20N60BD1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXDP20N60BD1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 32A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 140W |
| Schaltenergie | 900µJ (on), 400µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 70nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | 300V, 20A, 22Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6.3A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 8A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 2A Leistung - max 35W Schaltenergie 74µJ (on), 39µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/150ns Testbedingung 400V, 2A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 68ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
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