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IXDD630CI

IXDD630CI

Nur als Referenz

Teilenummer IXDD630CI
PNEDA Teilenummer IXDD630CI
Beschreibung IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220
Hersteller IXYS Integrated Circuits Division
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Auf Lager 3.816
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 17 - Feb 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXDD630CI Ressourcen

Marke IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXDD630CI
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
IXDD630CI, IXDD630CI Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 289,55 KB)
PDFIXDN630MYI Datenblatt Cover
IXDN630MYI Datenblatt Seite 2 IXDN630MYI Datenblatt Seite 3 IXDN630MYI Datenblatt Seite 4 IXDN630MYI Datenblatt Seite 5 IXDN630MYI Datenblatt Seite 6 IXDN630MYI Datenblatt Seite 7 IXDN630MYI Datenblatt Seite 8 IXDN630MYI Datenblatt Seite 9 IXDN630MYI Datenblatt Seite 10 IXDN630MYI Datenblatt Seite 11

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IXDD630CI Technische Daten

HerstellerIXYS Integrated Circuits Division
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung12.5V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 3.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)30A, 30A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)11ns, 11ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-5
LieferantengerätepaketTO-220-5

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Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 8A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-23-6

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Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.8A, 1.8A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-WSON (4x4)

EB01-FS225R12KE3

Power Integrations

Hersteller

Power Integrations

Serie

SCALE™-1

Angetriebene Konfiguration

-

Kanaltyp

-

Anzahl der Treiber

-

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

-

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

800V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

MIC4126YML-TR

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-MLF® (2x2)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

70ns, 30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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