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IXA20RG1200DHG-TUB

IXA20RG1200DHG-TUB

Nur als Referenz

Teilenummer IXA20RG1200DHG-TUB
PNEDA Teilenummer IXA20RG1200DHG-TUB
Beschreibung IGBT 1200V 32A 125W SMPD
Hersteller IXYS
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IXA20RG1200DHG-TUB Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXA20RG1200DHG-TUB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXA20RG1200DHG-TUB, IXA20RG1200DHG-TUB Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 174,22 KB)
PDFIXA20RG1200DHG-TUB Datenblatt Cover
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IXA20RG1200DHG-TUB Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)32A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 15A
Leistung - max125W
Schaltenergie1.55mJ (on), 1.7mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge48nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 15A, 56Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall9-SMD Module
LieferantengerätepaketISOPLUS-SMPD™.B

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

13.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 2A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

10.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

NGTB40N60FL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

366W

Schaltenergie

970µJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

84ns/177ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

72ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

FGPF30N45TTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

450V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 20A

Leistung - max

50.4W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

IRGR2B60KDTRRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.3A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

8A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 2A

Leistung - max

35W

Schaltenergie

74µJ (on), 39µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/150ns

Testbedingung

400V, 2A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

IKY75N120CH3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 75A

Leistung - max

938W

Schaltenergie

3.4mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/303ns

Testbedingung

600V, 75A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

292ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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