ISL89412IBZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | ISL89412IBZ |
| PNEDA Teilenummer | ISL89412IBZ |
| Beschreibung | IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8-SOIC |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 25.158 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL89412IBZ Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL89412IBZ |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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ISL89412IBZ Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 18V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.4V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2A, 2A |
| Eingabetyp | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 7.5ns, 10ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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