ISL6620IBZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | ISL6620IBZ |
| PNEDA Teilenummer | ISL6620IBZ |
| Beschreibung | IC SYNC RECT MOSFET DRVR 8-SOIC |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.928 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ISL6620IBZ Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL6620IBZ |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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ISL6620IBZ Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2A, 2A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 36V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 8ns, 8ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 12V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2.5A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 1200V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 25ns, 17ns Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
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