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IS65WV12816BLL-55TLA3-TR

IS65WV12816BLL-55TLA3-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS65WV12816BLL-55TLA3-TR
PNEDA Teilenummer IS65WV12816BLL-55TLA3-TR
Beschreibung IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS65WV12816BLL-55TLA3-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS65WV12816BLL-55TLA3-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
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IS65WV12816BLL-55TLA3-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße2Mb (128K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung2.5V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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-

Speichertyp

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EEPROM

Technologie

EEPROM

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Speicherschnittstelle

Parallel, SPI

Taktfrequenz

5MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ms

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 225°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

16Mb (256 Bytes x 8192 pages)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Betriebstemperatur

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.3ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

256Mb (64M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

267MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

500ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (128 x 8 x 2)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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