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IS61VPD51236A-250B3-TR

IS61VPD51236A-250B3-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS61VPD51236A-250B3-TR
PNEDA Teilenummer IS61VPD51236A-250B3-TR
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61VPD51236A-250B3-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61VPD51236A-250B3-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61VPD51236A-250B3-TR, IS61VPD51236A-250B3-TR Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 552,91 KB)
PDFIS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Cover
IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 2 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 3 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 4 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 5 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 6 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 7 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 8 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 9 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 10 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 11

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IS61VPD51236A-250B3-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße18Mb (512K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit2.6ns
Spannung - Versorgung2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-TBGA
Lieferantengerätepaket165-PBGA (13x15)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-TSOP

W632GG8NB15I

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-VFBGA

Lieferantengerätepaket

78-VFBGA (8x10.5)

70V24S15PF8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

SST39WF800A-90-4C-M2QE-T

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

40µs

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-WFBGA

Lieferantengerätepaket

48-WFBGA (6x4)

IS46R16160D-6TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

66-TSOP II

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