IS43QR16256A-083RBL-TR
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| Teilenummer | IS43QR16256A-083RBL-TR |
| PNEDA Teilenummer | IS43QR16256A-083RBL-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.618 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IS43QR16256A-083RBL-TR Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS43QR16256A-083RBL-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS43QR16256A-083RBL-TR, IS43QR16256A-083RBL-TR Datenblatt
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IS43QR16256A-083RBL-TR Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR4 |
| Speichergröße | 4Gb (256M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 1.2GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.14V ~ 1.26V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 96-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 96-TWBGA (9x13) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.1ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-TFBGA (13x15) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 450ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-FBGA (8x10) |
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