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IS43DR16128B-25EBL

IS43DR16128B-25EBL

Nur als Referenz

Teilenummer IS43DR16128B-25EBL
PNEDA Teilenummer IS43DR16128B-25EBL
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR16128B-25EBL Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS43DR16128B-25EBL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS43DR16128B-25EBL, IS43DR16128B-25EBL Datenblatt (Total Pages: 48, Größe: 1.068,32 KB)
PDFIS43DR82560B-3DBL Datenblatt Cover
IS43DR82560B-3DBL Datenblatt Seite 2 IS43DR82560B-3DBL Datenblatt Seite 3 IS43DR82560B-3DBL Datenblatt Seite 4 IS43DR82560B-3DBL Datenblatt Seite 5 IS43DR82560B-3DBL Datenblatt Seite 6 IS43DR82560B-3DBL Datenblatt Seite 7 IS43DR82560B-3DBL Datenblatt Seite 8 IS43DR82560B-3DBL Datenblatt Seite 9 IS43DR82560B-3DBL Datenblatt Seite 10 IS43DR82560B-3DBL Datenblatt Seite 11

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IS43DR16128B-25EBL Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße2Gb (128M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit400ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall84-TFBGA
Lieferantengerätepaket84-TWBGA (10.5x13)

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

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-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

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Hersteller

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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