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IS42S32800J-6TL

IS42S32800J-6TL

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S32800J-6TL
PNEDA Teilenummer IS42S32800J-6TL
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 8.190
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IS42S32800J-6TL Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S32800J-6TL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S32800J-6TL, IS42S32800J-6TL Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 948,46 KB)
PDFIS45S32800J-6BLA1 Datenblatt Cover
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IS42S32800J-6TL Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße256Mb (8M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket86-TSOP II

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 2.8ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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AS7C1024B-12JCN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

32-SOJ

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