IS42S16160G-6BI-TR
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| Teilenummer | IS42S16160G-6BI-TR |
| PNEDA Teilenummer | IS42S16160G-6BI-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.840 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IS42S16160G-6BI-TR Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS42S16160G-6BI-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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IS42S16160G-6BI-TR Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM |
| Speichergröße | 256Mb (16M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 5.4ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 54-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 54-TFBGA (8x8) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns Zugriffszeit 5.5ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
