IS29GL128S-10DHB01-TR
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| Teilenummer | IS29GL128S-10DHB01-TR |
| PNEDA Teilenummer | IS29GL128S-10DHB01-TR |
| Beschreibung | IC FLASH 128M PARALLEL |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.786 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IS29GL128S-10DHB01-TR Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS29GL128S-10DHB01-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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IS29GL128S-10DHB01-TR Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-S |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 128Mb (16M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 60ns |
| Zugriffszeit | 100ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 64-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 64-FBGA (9x9) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 6ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM Speichergröße 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Lieferantengerätepaket 52-TSOP II |
