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IRS2108SPBF

IRS2108SPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRS2108SPBF
PNEDA Teilenummer IRS2108SPBF
Beschreibung IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.718
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRS2108SPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRS2108SPBF
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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IRS2108SPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)290mA, 600mA
EingabetypInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)100ns, 35ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

50V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

27ns, 29ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

V-QFN3030-8 (Type TH)

ISL6700IR

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.4A, 1.3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

80V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5ns, 5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

12-VQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

12-QFN (4x4)

MAX621CPN

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 16.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

1.7µs, 2.5µs

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

18-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

18-PDIP

LMG1205YFXT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.76V, 1.89V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.2A, 5A

Eingabetyp

TTL

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

100V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

7ns, 3.5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

12-WFBGA, DSBGA

Lieferantengerätepaket

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