IRLU110PBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRLU110PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRLU110PBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 18.120 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRLU110PBF Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRLU110PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRLU110PBF Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 2.6A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-251AA |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ V FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta), 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4650pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 208W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (8x8) HV Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TSMT3 Paket / Fall SC-96 |
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Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3870pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-VSONP (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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