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IRLR3714TRL

IRLR3714TRL

Nur als Referenz

Teilenummer IRLR3714TRL
PNEDA Teilenummer IRLR3714TRL
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
Hersteller Infineon Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRLR3714TRL Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLR3714TRL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRLR3714TRL, IRLR3714TRL Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 115,86 KB)
PDFIRLR3714TRR Datenblatt Cover
IRLR3714TRR Datenblatt Seite 2 IRLR3714TRR Datenblatt Seite 3 IRLR3714TRR Datenblatt Seite 4 IRLR3714TRR Datenblatt Seite 5 IRLR3714TRR Datenblatt Seite 6 IRLR3714TRR Datenblatt Seite 7 IRLR3714TRR Datenblatt Seite 8 IRLR3714TRR Datenblatt Seite 9 IRLR3714TRR Datenblatt Seite 10 IRLR3714TRR Datenblatt Seite 11

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  • IRLR3714TRL Distributor

IRLR3714TRL Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds670pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)47W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

APT12067JLL

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

570mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

290nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

460W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

SI3424CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

NDD60N360U1T4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

114W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BS170PSTOB

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

270mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

Paket / Fall

E-Line-3

Kürzlich verkauft

WSL1206R0500FEA

WSL1206R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1/4W 1206

ZTB800J

ZTB800J

ECS

CER RES 800.0000KHZ T/H

LM211DT

LM211DT

STMicroelectronics

IC VOLTAGE COMPARATOR 8-SOIC

TDA04H0SB1

TDA04H0SB1

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

PSMN4R5-30YLC,115

PSMN4R5-30YLC,115

Nexperia

MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK

74HC132D,653

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Nexperia

IC GATE NAND SCHMITT 4CH 14SO

UUX1E470MCL1GS

UUX1E470MCL1GS

Nichicon

CAP ALUM 47UF 20% 25V SMD

LTST-C190KFKT

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Lite-On Inc.

LED ORANGE CLEAR CHIP SMD

2920L075DR

2920L075DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 30V 750MA 2920

1N5614

1N5614

Semtech

DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL

NTHD4102PT1G

NTHD4102PT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET

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