IRLR110TRR
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRLR110TRR |
| PNEDA Teilenummer | IRLR110TRR |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.534 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRLR110TRR Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRLR110TRR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRLR110TRR Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 2.6A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 41A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 625W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ISOPLUS264™ Paket / Fall ISOPLUS264™ |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 47A (Ta), 303A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10144pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 134W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 850V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1785W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PLUS264™ Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA |
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TSMT6 (SC-95) Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
