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IRL6342TRPBF

IRL6342TRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRL6342TRPBF
PNEDA Teilenummer IRL6342TRPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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IRL6342TRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRL6342TRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IRL6342TRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1025pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

161nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11175pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NVMFS6B85NLWFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A (Ta), 19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

HUFA75337S3ST

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

109nC @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1775pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

175W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

147mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2063pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

174W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 8 x 8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IRFR4105Z

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

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