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IRGSL4B60KD1PBF

IRGSL4B60KD1PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGSL4B60KD1PBF
PNEDA Teilenummer IRGSL4B60KD1PBF
Beschreibung IGBT 600V 11A 63W TO262
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.452
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 3 - Dez 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IRGSL4B60KD1PBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGSL4B60KD1PBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRGSL4B60KD1PBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)11A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)22A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 4A
Leistung - max63W
Schaltenergie73µJ (on), 47µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge12nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/100ns
Testbedingung400V, 4A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)93ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
LieferantengerätepaketTO-262

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Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

88A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

326W

Schaltenergie

1.46mJ (on), 1.29mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

58nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/115ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

IRG4IBC20WPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

34W

Schaltenergie

60µJ (on), 80µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

26nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/110ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

NGB8202NT4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 15A

Leistung - max

113W

Schaltenergie

430µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

56nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/86ns

Testbedingung

300V, 15A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

620µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/100ns

Testbedingung

800V, 5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

51ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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TO-247-3

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